ChangXin Memory Technologies (CXMT) Micronning 4F² DRAM hujayrasi joylashuvi haqiqiy zichlik oshirmaydi degan daʼvosiga javob berdi. CXMT tomonidan investorlar uchun 31-oktabrda eʼlon qilingan hisobotga koʻra, kompaniyaning keyingi texnologik platformasi, oltinchi avlod, 4F² arxitekturasi asosida qurilgan va allaqachon muhandis namunalari bilan tekshirilgan. 4F² asosidagi birinchi mahsulotlar joriy yil oxiriga mijozlarga yetib keladi, undan soʻng buyurtmachi tasdiqlash va bozor talabiga bogʻliq seriya ishlab chiqarish boshlanadi.
Asosiy bahs DRAMdagi bitlar zichligini cheklaydigan omillar atrofida boʻlib oʻtdi. Micronning prezidenti va texnologiya hamda mahsulotlar direktori Scott DeBur 21-oktabrda kompaniya vebinarida 4F² yoʻlini rivojlantirishni davom ettirish va 3D DRAMga eʼtibor qaratishni bildirdi. U kompaniya 4F² ni yigirma yildan ortiq oʻrganganini, ammo miqyoslash uchun hayotiy yoʻlni topa olmaganini va 4F² haqidagi muhokama baʼzi jihatlarini 'tuman pardasi' deb ataganini taʼkidladi. DeBor fikricha, zichlikning nazariy chegarasi transistor joylashuv usuli emas, balki kondensator hajmi va qadam bilan belgilanadi.
CXMT fizik prinsiplarni inkor qilmagan, ammo bitlar zichligini oshirishni murakkab tizimli muammo deb nomlagan, bunda soʻz chiziqlari, bit chiziqlari va kondensator tuzilmalari makon uchun raqobatlashadi. Kompaniya maʼlum bir tugun uchun har bir arxitektura integratsiya jarayonining murakkabligi, litografik bosqichlar soni va issiqlik byudjeti bilan belgilanadigan oʻz xarajatlar egri chizigiga ega ekanligini taʼkidladi. CXMT turli yondashuvlar orasidagi tanlov ishlab chiqaruvchining xotira texnologik tarixi, mavjud ishlab chiqarish liniyalari, patentlar portfeli va xarajatlar tuzilmasiga bogʻliq ekanligini va bunday qarorlar tushunish va hurmatga loyiq ekanligini bildirib oʻtdi.
1-noyabr tahliliga koʻra, Samsung va SK hynix 4F²ni ishlab chiqishni davom ettirmoqda. Samsung ISSCC 2026 doirasida vertikal kanal transistorlari va giperid mis wafer-to-wafer bogʻlanishini birlashtirgan 16 Gbitli 4F² prototipini taqdim etdi. Kompaniya 10a, 10b va 10c tugunlarida 4F² dan foydalanishni rejalashtirmoqda, shundan soʻng 10d tugunida 3D DRAMga oʻtadi. Samsung yarimconductorlar texnik direktori Song Jae-hyuk 12-oktabrda 4F² ustida ishlar davom etayotganini maʼlum qildi. SK hynix vertikal darvoza yoʻlini qoʻllaydi, bu ularning aytishicha, bitlar zichligini 20% dan ortiq oshiradi va iyul oyida sinov massivlarida oʻqish va yozish operatsiyalarini tekshirdi, dekabr oyida kondensatorli 4F² haqida maʼlumotni IEDMda taqdim etishni rejalashtirmoqda.
CXMT versiyasi tahlilga koʻra, Vertical Surrounded Gate (VSG) turidagi transistorlardan foydalanadi. Kompaniya oʻz tashkil etilishidan beri 4F² ustida ishlayotganini va ushbu texnologiya boʻyicha 300 dan ortiq nashr etilgan patent oilalari ga ega ekanligini daʼvo qiladi. 4F² hujayra joylashuvini oʻzgartirish orqali zichlikni oshirishi, chiziq kengligini kamaytirish orqali emas, DUV litografiyasi erishadigan chegaralar ichida yuzaga keladigan maydon faktorini 6 dan 4 ga pasaytiradi. CXMT DDR5 RDIMM ning 4F² ni giperid ulanish bilan birlashtirgan holda yil oxiriga yaqin paydo boʻlishini maʼlum qildi. Tahlil server modullari ishonchlilik boʻyicha qatʼiy talablarga ega ekanligini ogohlantiradi, shuning uchun birinchi versiya asosan texnologiyani sinovdan oʻtkazish uchun xizmat qiladi.