Xotira sohasidagi Xitoy startapi MemSilicon oʻzining birinchi yuqori zichlik va katta sigʻimli RRAM chipi boʻlgan MountTai 2026 ning tape-out jarayonini yakunlaganini eʼlon qildi, bu 12-oktabrda amalga oshirildi. Kompaniya bu turdagi birinchi RRAM chipli qurilma ekanligini, u yuqori zichlik va katta sigʻimga ega ekanligini daʼvo qilmoqda, ammo bu bayonot hali mustaqil tekshirilmagan. Hozirda chip tape-out tugagandan soʻng validatsiya bosqichidan oʻtmoqda.
MountTai 2026 chipli qurilma 28 nm CMOS-jarayonidan foydalanib ishlab chiqilgan va 1T4R yacheya tuzilishiga ega. U chipda 1 Gbit sigʻimni taʼminlaydi, kvadrat millimetrga 30 Mbit zichlikka erishadi va kirish kechikishi 20 nanosekunddan kam. Bundan tashqari, chip kristal darajasida apparatiy xatolarni tuzatishni oʻz ichiga oladi.
RRAM, yoki tasodifiy kirishli rezistiv xotira, qarshilik holatlari orasidagi materialni oʻzgartirish orqali maʼlumotlarni saqlaydi va quvvat oʻchirilganda ham uni ushlab turadi. Standart 1T1R konstruksiyasida har bir rezistiv yacheya oʻzining selektor tranzistoriga ega. Biroq, yacheyalar hajmi kichrayib borishi bilan, bu tranzistorlar va ularning simlashlari egallaydigan maydon zichlik uchun cheklovchi omilga aylanadi. 1TnR yondashuvi bitta tranzistordan bir nechta yacheyalarga xizmat qilish imkonini beradi, shu tariqa bitga tranzistor maydonini kamaytiradi; MountTai 2026 bir tranzistordan toʻrtta yacheya uchun foydalanadi.
Umumiy tranzistordan foydalanish bir qator muammolarni keltirib chiqaradi, jumladan, yacheyalar orasidagi tok sizib chiqish yoʻllari, oʻqish va yozish paytida buzilishlar, shuningdek, turli ish sharoitlaridagi ishonchlilik muammolari. MemSilicon bu muammolarni sxemaviy darajada hal qilganini eʼlon qiladi, massiv sizib chiqishini bostirish uchun manfiy kuchlanishli konstruksiya va birlashtirilgan qayta tiklash sxemasini joriy etish, yuqori va past kuchlanishdagi oʻqish va yozish yoʻllarini ajratadigan koʻp kuchlanishli soʻz liniyasi drayverlari, notoʻgʻri yozishlarni kamaytirish uchun moslashuvchan himoya polarizatsiyasi va gigabit sigʻimda oʻqish samaradorligini oshirish uchun xato tuzatish bilan birgalikda ishlaydigan moslashuvchan skanerlash sxemasini kiritish orqali.
Kompaniyaning texnologiyasi Xitoy Fanlar akademiyasi akademigi Lyu Min jamoasining ishlari asosida qurilgan boʻlib, u 2020 yilda 28 nm 1T2R RRAM dizayni boʻyicha tadqiqotlarni nashr etgan. Yacheyalar orqa qatlamlarda yaratilishi standart CMOS bilan mos kelishi sababli, bu usul energiya yetkazib berilmaydigan xotirani mantiqiy chiplarga integratsiya qilish uchun moʻljallangan.
MemSilicon model vaznlari, KV-kesh va SoCʼdagi parametrlar uchun on-board xotiraga, joylashtirilgan AI qurilmalariga va AI li kompyuterlarga qaratilgan, chunki SRAM tez, ammo bitga koʻp joy egallaydi, va mantiqiy jarayonlar kichrayib borishi bilan ichki flash-xotirani integratsiya qilish tobora murakkablashib bormoqda.